复旦大学团队突破单电子量子存储，登上《科学》主刊

中国复旦大学团队成功实现只需一个电子即可存储1比特信息的量子闪存技术，且在室温下仍能非易失性存储，这一突破性成果已发表于国际顶级期刊《科学》杂志。

前三

  1. 史上里程碑式量子存储技术: 复旦大学团队首次在室温（27℃）下清晰观测到单电子非易失性存储行为，突破了20世纪末美国科学家仅维持数秒的单电子存储实验局限。
  2. 存储密度极限突破者: 复旦大学团队实现了“一电子、一比特”的电荷信息存储，达到存储密度的物理极限，远超传统动态随机存储器（DRAM）所需的20万电子每比特。
  3. 量子比特最长相干时间: 2013年一项研究在室温下实现了量子比特39分钟的存储，而清华大学团队在2017年实现了单量子比特超10分钟的相干时间，是目前单量子比特记忆的最长纪录。

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